Yoonbin Kim
Seoul National University
About the Lab
Professor Yoonbin Kim's research lab specializes in advanced semiconductor devices and nanoscale memory technologies, with a primary focus on high-performance thin-film transistors and non-volatile memory systems. The lab investigates the optimization of polycrystalline silicon thin-film transistors through low-temperature annealing processes to enhance device performance, particularly in subthreshold swing, drain-induced barrier lowering, and on-current characteristics. A key research direction involves the development and characterization of SONOS flash memory devices, where precise control of oxide/nitride/oxide (O/N/O) stack thickness is critical for suppressing electron back-tunneling and enabling reliable program/erase operations. The lab combines experimental fabrication with device simulation to achieve optimal device design and performance.
Research Overview
Research Output Trend
Figures are computed from collected data and may differ slightly.
Selected Papers
1본 연구에서는 0.5 ㎛ 급 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 제작하고 이를 최적화 했다. 실험 결과, 비정질 실리콘을 증착 후 저온 어닐링을 통해 보다 큰 grain 크기를 가지는 active 영역을 형성하는 것이 소자의 SS(Subthreshold Swing), DIBL(Drain Induced Barrier Lowering), 그리고 on-current의 성능 향상을 가져온다는 것을 확인 할 수 있었다. 또한 이를 바탕으로 SONOS 플래시 메모리를 제작하였으며 그 특성을 분석했다. 게이트로부터 전자의 back tunneling 현상을 억제함과 동시에 제작한 소자가 원활한 program/erase 동작을 하기 위해서는 O/N/O 두께의 최적화가 필요하다. 따라서 시뮬레이션을 통해 이를 분석하고 O/N/O 두께를 최적화 하여 SONOS 플래시 메모리의 특성을 개선하였다. 제작한 소자는 2.24 V의 threshold voltage(Vth) memory window를 보였으며 메모리
Dive deeper into Yoonbin Kim's research on Nubint
Open this lab's papers in the app to read with AI, summarize, and cite in your writing.