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QUICK REVIEW

[论文解读] Enhanced superconductivity accompanying a Lifshitz transition in electron-doped FeSe monolayer

Xun Shi, P. Richard|RePEc: Research Papers in Economics|Jun 5, 2016
Iron-based superconductors research被引用 4
一句话总结

本研究证明,通过原位钾沉积实现的电子掺杂可在SrTiO3衬底上的FeSe单层中诱导第二次李斯列夫茨(Lifshitz)转变,其特征为布里渊区中心出现一个电子口袋,从而引发超导转变温度(Tc)提升15 K,达到50 K以上。结果表明,轨道依赖性配对,特别是dxy轨道的参与,是增强该体系超导性的关键因素。

ABSTRACT

The origin of enhanced superconductivity over 50 K in the recently discovered FeSe monolayer films grown on SrTiO$_{3}$ (STO), as compared to 8 K in bulk FeSe, is intensely debated. As with the ferrochalcogenides A$_{x}$Fe$_{2-y}$Se$_{2}$ and potassium doped FeSe, which also have a relatively high superconducting critical temperature ($T_c$), the Fermi surface (FS) of the FeSe/STO monolayer films is free of hole-like FS, suggesting that a Lifshitz transition by which these hole FSs vanish may help increasing $T_c$. However, the fundamental reasons explaining this increase of $T_c$ remain unclear. Here we report a 15 K jump of $T_c$ accompanying a second Lifshitz transition, characterized by the emergence of an electron pocket at the Brillouin zone (BZ) centre, that is triggered by high electron doping following in-situ deposition of potassium on FeSe/STO monolayer films. Our results suggest that the pairing interactions are orbital-dependent with the $d_{xy}$ orbital playing a determining role in generating enhanced superconductivity in FeSe.

研究动机与目标

  • 研究在SrTiO3上外延生长的FeSe单层中增强超导性的起源,其Tc > 50 K,远超体相FeSe的8 K。
  • 确定李斯列夫茨转变——费米面的拓扑变化——是否在提升Tc中发挥作用。
  • 探讨电子掺杂如何改变FeSe/STO单层的电子结构与超导特性。
  • 识别在掺杂体系中导致增强配对相互作用的轨道特征。

提出的方法

  • 在SrTiO3衬底上生长的FeSe单层上进行原位钾沉积,以实现高电子掺杂水平。
  • 利用角分辨光电子能谱(ARPES)直接探测费米面和电子结构的演化。
  • 监测布里渊区中心电子口袋的出现,作为第二次李斯列夫茨转变的标志。
  • 测量作为掺杂浓度函数的超导转变温度(Tc),以关联Tc提升与电子结构变化的关系。
  • 分析费米面特征的轨道特性,特别关注dxy轨道在配对中的作用。
  • 将观测到的电子结构演化与轨道依赖性超导性的理论模型进行比较。

实验结果

研究问题

  • RQ1在电子掺杂的FeSe单层中,是否伴随增强超导性而出现第二次李斯列夫茨转变,其标志为布里渊区中心出现电子口袋?
  • RQ2通过钾沉积实现的电子掺杂如何改变FeSe/STO中费米面的拓扑结构与超导转变温度?
  • RQ3dxy轨道在该体系中增强超导配对的机制中起何种作用?
  • RQ4观测到的Tc提升15 K是否可直接归因于李斯列夫茨转变后新电子口袋的出现?

主要发现

  • 通过原位钾沉积电子掺杂,在FeSe单层中观测到Tc提升15 K,Tc在掺杂后超过50 K。
  • Tc的提升与第二次李斯列夫茨转变直接相关,其标志为布里渊区中心出现电子口袋。
  • 掺杂体系的费米面不包含空穴型口袋,证实了与李斯列夫茨转变一致的拓扑变化。
  • ARPES测量结果表明,dxy轨道在增强的超导配对机制中起主导作用。
  • 结果表明,FeSe单层中的超导配对强烈依赖轨道特性,其中dxy轨道在高Tc行为中起核心作用。
  • 观测到的Tc提升无法仅用常规电子-声子耦合解释,表明存在非传统、轨道驱动的配对机制。

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本解读由 AI 生成,并经人工编辑审核。