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QUICK REVIEW

[论文解读] Electrically tunable stacking domains and ferroelectricity in moir\'e superlattices

Daniel Bennett, Benjamin Remez|arXiv (Cornell University)|Aug 24, 2021
Ferroelectric and Piezoelectric Materials参考文献 55被引用 51
一句话总结

本文提出一个理论模型,表明外加电场会引致莫尔超晶格堆叠畴的非对称弛豫,从而产生净极化和类铁电响应。电场通过介电屏蔽软化畴壁并调节其宽度,预测在MoS2中畴结构坍塌的临界场强约为2.47 V/Å,为二维异质结构中电场可调铁电性提供了一种机制。

ABSTRACT

It is well known that stacking domains form in moir\'e superlattices due to the competition between the interlayer van der Waals forces and intralayer elastic forces, which can be recognized as polar domains due to the local spontaneous polarization in bilayers without centrosymmetry. We propose a theoretical model which captures the effect of an applied electric field on the domain structure. The coupling between the spontaneous polarization and field leads to uneven relaxation of the domains, and a net polarization in the superlattice at nonzero fields, which is sensitive to the moir\'e period. We show that the dielectric response to the field reduces the stacking energy and leads to softer domains in all bilayers. We then discuss the recent observations of ferroelectricity in the context of our model.

研究动机与目标

  • 理解在双层石墨烯和hBN中观测到的非传统铁电性的起源,这些材料本身是非极性的。
  • 研究外加电场如何通过与自发极化的耦合,改变莫尔超晶格中的堆叠畴结构。
  • 建立双层体系对外加电场的介电响应模型,并分析其对畴壁软化与稳定性的影。
  • 解释近期在扭曲二维材料中观测到的场依赖性滞回与铁电行为。

提出的方法

  • 为莫尔超晶格开发连续场论模型,包含弹性能、堆叠能及外加电场下的静电能。
  • 采用完整的非谐范德华势能描述堆叠能,以准确刻画电场诱导的破缺行为。
  • 同时包含电场对垂直方向偶极矩的直接耦合,以及通过极化率展开的介电响应。
  • 使用一维弗伦kel-Kontorova(FK)模型,解析与数值求解畴壁形貌与宽度随电场和扭转角的变化。
  • 推导出畴壁宽度作为电场与扭转角的函数,显示在MoS2中临界场强E_crit ≈ 2.47 V/Å时发生发散。
  • 通过第一性原理计算进行验证,并比较不同扭转角与晶格失配下的结果。

实验结果

研究问题

  • RQ1外加电场如何改变莫尔超晶格中堆叠畴的平衡结构?
  • RQ2介电屏蔽在调节有效堆叠能与畴壁软化中的作用是什么?
  • RQ3双层石墨烯与hBN中观测到的铁电滞回是否可由场依赖性畴弛豫解释?
  • RQ4堆叠畴变得不稳定或坍塌的临界电场是多少?
  • RQ5在二维异质结构中,畴壁宽度如何随扭转角与外加电场变化?

主要发现

  • 外加电场通过与自发极化的耦合,引起堆叠畴的非对称弛豫,从而产生宏观净极化。
  • 介电响应降低了有效堆叠能,软化了畴壁,使其更易发生电场诱导的重构。
  • 畴壁宽度随电场减小而增大,并在临界场强E_w^crit ≈ 2.47 V/Å时发散(MoS2中),且与晶格失配无关。
  • 模型预测双层结构崩塌的临界场强E_AB^crit ≈ 2.37 V/Å,略低于E_w^crit,表明存在畴结构不稳定的区域。
  • 一维FK模型的数值与解析解证实,畴壁宽度在临界场附近满足w ∝ 1 / sqrt( E^2 - E_w^crit^2 )的关系。
  • 该模型解释了近期在双层石墨烯与hBN中观测到的场依赖性与扭转角依赖性滞回现象,其根源在于电场可调的畴动力学。

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本解读由 AI 生成,并经人工编辑审核。