[论文解读] Electroweak and QCD corrections to Higgs production via vector-boson fusion at the LHC
本文首次完成了对大型强子对撞机(LHC)上通过矢量玻色子融合(VBF)机制产生希格斯玻色子的下一阶修正(NLO)电弱和QCD修正的完整计算,包括所有 $t$-、$u$- 和 $s$-通道图及其干涉项。研究发现,电弱修正和QCD修正均具有显著影响——通常在5%至10%之间——并在微分分布中引起非平凡的畸变,且在VBF选型条件下,完整NLO结果与 $t/u$-通道近似结果高度一致。
The radiative corrections of the strong and electroweak interactions are calculated at next-to-leading order for Higgs-boson production in the weak-boson-fusion channel at hadron colliders. Specifically, the calculation includes all weak-boson fusion and quark--antiquark annihilation diagrams to Higgs-boson production in association with two hard jets, including all corresponding interferences. The results on the QCD corrections confirm that previously made approximations of neglecting s-channel diagrams and interferences are well suited for predictions of Higgs production with dedicated vector-boson fusion cuts at the LHC. The electroweak corrections, which also include real corrections from incoming photons and leading heavy-Higgs-boson effects at two-loop order, are of the same size as the QCD corrections, viz. typically at the level of 5-10% for a Higgs-boson mass up to \sim 700 GeV. In general, both types of corrections do not simply rescale differential distributions, but induce distortions at the level of 10%. The discussed corrections have been implemented in a flexible Monte Carlo event generator.
研究动机与目标
- 计算LHC上通过矢量玻色子融合(VBF)机制产生希格斯玻色子的全部下一阶修正(NLO)QCD与电弱修正。
- 评估忽略 $s$-通道图及其干涉项在VBF截面预测中常见近似方法的有效性。
- 评估电弱修正(包括初态辐射光子的修正和主导的两圈重希格斯效应)对微分分布的影响。
- 将完整计算实现于一个灵活的蒙特卡罗事件生成器中,以支持LHC的现象学应用。
- 量化在希格斯玻色子质量高达700 GeV时,截面与分布预测的理论不确定性。
提出的方法
- 采用与先前希格斯玻色子衰变计算类似的设置,对QCD修正进行完整NLO计算,包括 $t$-、$u$- 和 $s$-通道图及其所有干涉项。
- 将NLO QCD修正分为四类,以系统处理所有贡献。
- 在NLO下包含电弱修正,包括初态光子引起的实修正,以及通过部分子分布函数的DGLAP演化引入的QED效应。
- 利用参考文献[23]的结果,引入与 $G_\mu^2 M_{\mathrm{H}}^4$ 成正比的主导两圈电弱修正,适用于重希格斯玻色子。
- 将完整计算集成至灵活的蒙特卡罗事件生成器中,以计算积分截面与微分分布。
- 将结果与标准的 $t/u$-通道近似进行比较,并在典型VBF选型条件下评估其一致性。
实验结果
研究问题
- RQ1在VBF希格斯玻色子产生过程中,当包含 $s$-通道图及其干涉项时,NLO QCD修正的显著程度如何?
- RQ2在广泛的希格斯玻色子质量范围内,NLO电弱修正(包括实光子贡献和两圈重希格斯效应)的大小与符号为何?
- RQ3QCD与电弱修正在多大程度上导致了微分分布(如横动量、快度、方位角夹角差、喷注不变质量)的畸变?
- RQ4在真实VBF选型条件下,标准 $t/u$-通道近似在多大程度上能准确再现完整NLO QCD结果?
- RQ5在包含完整NLO修正并估算缺失的高阶效应时,截面与分布预测的理论不确定性如何?
主要发现
- 当包含 $s$-通道图及其干涉项时,NLO QCD修正与 $t/u$-通道近似结果高度一致,在典型VBF选型条件下差异仅在百分之几内。
- NLO电弱修正的量级与QCD修正相当——通常为5%至10%——且在 $M_{\mathrm{H}} < 200\,\mathrm{GeV}$ 时为负值,随质量增加至 $M_{\mathrm{H}} = 700\,\mathrm{GeV}$ 时上升至+7%。
- 电弱修正在微分分布中引起非平凡的10%量级畸变,表明其并非简单地对分布进行缩放。
- 当 $M_{\mathrm{H}} \gtrsim 400\,\mathrm{GeV}$ 时,希格斯玻色子宽度变得足够大,导致壳上近似失效,必须考虑非壳上效应。
- 在 $M_{\mathrm{H}} = 700\,\mathrm{GeV}$ 时,主导的两圈重希格斯修正量级已与一阶修正相当,表明微扰理论可能失效,且该效应可作为缺失高阶修正不确定性的估计。
- 在 $M_{\mathrm{H}} = 100$–$200\,\mathrm{GeV}$ 范围内,总截面的理论不确定性估计为1%至2%,另加3.5%的来自部分子分布函数的不确定性。
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