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QUICK REVIEW

[论文解读] High-efficiency superconducting nanowire single-photon detectors fabricated from MoSi thin-films

Varun Verma, Boris Korzh|arXiv (Cornell University)|Apr 10, 2015
Quantum Information and Cryptography参考文献 33被引用 111
一句话总结

本论文展示了基于MoSi薄膜的高效率超导纳米线单光子探测器(SNSPDs)的制备,该器件嵌入介质光学堆栈中,以增强1542 nm波长下的光吸收。在0.7 K下,器件实现了87 ± 0.5%的最大系统检测效率,同时具有创纪录的低抖动76 ps,其抖动性能优于WSi基SNSPDs,且在高达2.3 K的升温条件下仍保持相近的检测效率。

ABSTRACT

We demonstrate high-efficiency superconducting nanowire single-photon detectors (SNSPDs) fabricated from MoSi thin-films. We measure a maximum system detection efficiency (SDE) of 87 +- 0.5 % at 1542 nm at a temperature of 0.7 K, with a jitter of 76 ps, maximum count rate approaching 10 MHz, and polarization dependence as low as 3.4 +- 0.7 % The SDE curves show saturation of the internal efficiency similar to WSi-based SNSPDs at temperatures as high as 2.3 K. We show that at similar cryogenic temperatures, MoSi SNSPDs achieve efficiencies comparable to WSi-based SNSPDs with nearly a factor of two reduction in jitter.

研究动机与目标

  • 开发基于MoSi薄膜的高效率SNSPDs,作为WSi或NbN材料的替代方案。
  • 在保持高内部检测效率的同时,降低非晶超导材料基SNSPDs的抖动。
  • 在不牺牲效率的前提下,实现高达2.3 K的低温运行,从而降低制冷系统复杂度与成本。
  • 通过优化光学堆栈设计与光纤管理,最小化偏振依赖性与暗计数率。

提出的方法

  • 在室温下通过直流磁控溅射沉积6.6 nm厚的Mo0.8Si0.2薄膜,并使用非晶硅作为顶帽层以防止氧化。
  • 采用电子束光刻与SF6电感耦合等离子体刻蚀工艺,制造出宽20 µm、线宽130 nm、节距215 nm的纳米线蛇形结构。
  • 将SNSPDs集成至由Au/Ti反射镜、SiO2间隔层及多层抗反射涂层组成的介质光学堆栈中,以最大化1550 nm波长的吸收。
  • 使用波长为1542 nm的连续波激光源,并结合NIST校准的功率计进行输入功率标定及系统检测效率(SDE)测量。
  • 在40 K下使用低温前置放大器,结合室温高增益(总增益51 dB)放大器,以最小化电子噪声并测量系统抖动。
  • 将光学光纤在探测器附近盘绕,以抑制黑体辐射引起的背景计数,从而降低暗计数率。

实验结果

研究问题

  • RQ1MoSi基SNSPDs是否能在显著降低抖动的同时,实现与最先进的WSi基SNSPDs相当的系统检测效率?
  • RQ2MoSi SNSPDs的内部检测效率在高温(如2.3 K)下是否趋于饱和,从而支持使用更简单的制冷系统运行?
  • RQ3光学堆栈设计在多大程度上降低了偏振依赖性并增强了MoSi SNSPDs的光子吸收?
  • RQ4在低温条件下,纳米线几何结构、偏置电流与系统抖动之间存在何种关系?
  • RQ5光纤盘绕在抑制高效率SNSPDs中黑体辐射引起的暗计数方面,其有效性如何?

主要发现

  • 在0.7 K下运行时,MoSi SNSPD在1542 nm波长下实现了最大87 ± 0.5%的系统检测效率(SDE),性能接近WSi基SNSPDs。
  • 在0.7 K下测得的系统抖动为76 ps,相比WSi基SNSPDs(约150 ps)在更低温度下运行时的抖动,实现了近乎两倍的降低。
  • 在2.3 K时,SNSPD的内部效率保持在79 ± 2%的饱和水平,表明其在较高低温下仍具有优异性能。
  • 偏振依赖性仅为3.4 ± 0.7%,显著低于大多数报道的NbN和WSi基SNSPDs,表明填充因子高且光学堆栈设计高效。
  • 最大计数率在输入光子通量接近10^7个/秒时仍保持线性,表明具有优异的线性度与高动态范围。
  • 通过光纤盘绕,当偏置电流低于0.9ISW时,背景计数率被抑制至10 cps以下,有效抑制了长波长黑体辐射的影响。

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本解读由 AI 生成,并经人工编辑审核。