QUICK REVIEW
[论文解读] Surface acoustic wave stimulated Brillouin scattering in thin-film lithium niobate waveguides
Kaixuan Ye, Hanke Feng|arXiv (Cornell University)|Nov 9, 2023
Photorefractive and Nonlinear Optics被引用 7
一句话总结
本论文首次通过表面声波(SAW)实现了在薄膜铌酸锂(TFLN)波导中观测到反向受激布里渊散射(SBS)。在20°晶体旋转角下,z切TFLN波导中实现了84.9 m⁻¹W⁻¹的峰值布里渊增益系数,展示了强烈的光机械相互作用,并为集成光子学应用提供了巨大潜力。
ABSTRACT
We report the first-ever experimental observation of backward stimulated Brillouin scattering (SBS) in thin-film lithium niobate (TFLN) waveguides. The peak Brillouin gain coefficient of the z-cut LN waveguide with a crystal rotation angle of 20$^{\circ}$ is as high as 84.9m$^{-1}$W$^{-1}$, facilitated by surface acoustic waves (SAW) at 8.06GHz.
研究动机与目标
- 在具有高潜力的集成非线性光子学平台——薄膜铌酸锂(TFLN)波导中,实验演示受激布里渊散射(SBS)。
- 通过对比空气包层与二氧化硅包层结构,研究表面声波(SAW)在增强TFLN波导中SBS增益方面的作用。
- 通过改变旋转角θ(从0°到40°)研究z切TFLN波导中SBS增益对晶体取向的依赖性。
- 利用锁相放大器和矢量网络分析仪(VNA)等多种测量技术验证SBS信号,确保信号可靠性。
- 确立TFLN作为可扩展、低损耗、高性能的集成布里渊基器件平台,如激光器和滤波器。
提出的方法
- 采用反应离子束刻蚀工艺,在400 nm厚的铌酸锂晶圆上制备了1 cm长的z切和x切TFLN波导,刻蚀深度分别为200 nm和250 nm。
- 采用泵浦-探测调制锁相放大器装置测量SBS增益分布,将波导中的SBS峰与5 m光纤参考样品的SBS峰进行对比。
- 利用COMSOL Multiphysics模拟在θ = 20°时z切TFLN波导中的光场与声场重叠,识别出7.95 GHz的表面声波激发。
- 采用矢量网络分析仪(VNA)表征SBS,测量线宽和信号保真度,特别关注斯托克斯与反斯托克斯分量。
- 系统性地改变z切波导的晶体旋转角(θ = 0°, 20°, 40°),绘制SBS增益对晶体取向的依赖关系。
- 对比空气包层与二氧化硅包层的x切TFLN波导,以分离声波限制对SBS增强的影响。

实验结果
研究问题
- RQ1能否通过表面声波(SAW)作为机械激励源,在薄膜铌酸锂(TFLN)波导中实验观测到反向受激布里渊散射(SBS)?
- RQ2z切TFLN波导的晶体取向(θ)如何影响布里渊增益系数?该依赖关系是否与理论预测一致?
- RQ3通过空气包层与二氧化硅包层实现的声波限制,在多大程度上影响x切TFLN波导中的SBS增益?
- RQ4在SAW激励下,TFLN波导中可实现的最大布里渊增益系数是多少?与其它集成平台相比如何?
- RQ5能否在芯片级光子平台上,通过锁相放大器与矢量网络分析仪(VNA)两种技术可靠地测量并验证SBS信号?
主要发现
- 首次通过表面声波(SAW)在8.06 GHz频率下,实验观测到薄膜铌酸锂(TFLN)波导中的反向受激布里渊散射(SBS)。
- 在20°晶体旋转角的z切TFLN波导中测得峰值布里渊增益系数为84.9 m⁻¹W⁻¹,显著高于氮化硅平台,接近硫系和悬空硅平台的水平。
- z切TFLN波导中的SBS增益系数强烈依赖于晶体取向:0°时为9.45 m⁻¹W⁻¹,20°时为84.9 m⁻¹W⁻¹,40°时为25.6 m⁻¹W⁻¹,与模拟趋势一致。
- x切TFLN波导中的SBS信号具有11.9 MHz的窄线宽,表明光谱纯度高,具备高分辨率滤波的潜力。
- 与空气包层x切波导相比,二氧化硅包层使SBS增益系数降低近四倍,证实声波限制对高SBS效率至关重要。
- 实测的SBS增益系数比模拟值高出约50%,可能由于模拟模型中声学品质因数(Q_ac = 1000)被低估。

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