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QUICK REVIEW

[论文解读] Tunable Weyl Points in Periodically Driven Nodal Line Semimetals

Zhongbo Yan, Zhong Wang|arXiv (Cornell University)|May 14, 2016
Topological Materials and Phenomena被引用 3
一句话总结

该论文提出,在圆偏振光驱动下,周期性调制的节点线半金属(NLSMs)可通过弗洛凯工程实现可调的外尔点。光场诱导从节点线到外尔半金属的拓扑相变,产生稳定且可调控的外尔点,以及大范围可调的反常霍尔电导率,实验上可通过输运测量或泵浦-探测角分辨光电子能谱(ARPES)实现探测。

ABSTRACT

Weyl semimetals and nodal line semimetals are characterized by linear band touching at zero-dimensional points and one-dimensional lines, respectively. We predict that a circularly polarized light drives nodal line semimetals into Weyl semimetals. The Floquet Weyl points thus obtained are tunable by the incident light, which enables investigations of them in a highly controllable manner. The transition from nodal line semimetals to Weyl semimetals is accompanied by the emergence of a large and tunable anomalous Hall conductivity. Our predictions are experimentally testable by transport measurement in film samples or by pump-probe angle-resolved photoemission spectroscopy.

研究动机与目标

  • 研究周期性驱动下节点线半金属(NLSMs)向外尔半金属(WSMs)的拓扑相变。
  • 探究在圆偏振光(CPL)照射下,NLSMs中可调外尔点的产生机制。
  • 展示在弗洛凯外尔半金属相中,产生大范围可调反常霍尔电导率(AHC)的机制。
  • 提供可实验验证的预测,用于通过输运测量或ARPES探测光致外尔点与费米弧。
  • 建立通过光的偏振与强度调控NLSMs拓扑性质的框架。

提出的方法

  • 采用一个两能带有效哈密顿量描述无自旋NLSMs,其在零能处具有节点环,形式为 $\mathcal{H}({\bf k}) = (m - Bk^2)\tau_x + v k_z \tau_z + \epsilon_0({\bf k})\tau_0$。
  • 通过弗洛凯形式化方法引入圆偏振光场,施加时间周期性微扰,使有效哈密顿量变为 $\mathcal{H}_{\rm eff}({\bf k}) = \mathcal{H}({\bf k}) + \lambda k_y \tau_y$。
  • 在旋转波近似下推导有效哈密顿量,表明节点环被能隙打开并分裂为四个有限动量处的外尔点。
  • 分析外尔点位置随光强与偏振的变化关系,证明通过调节激光的手性与振幅可实现其可调性。
  • 将自旋-轨道耦合(SOC)作为微小扰动引入,以模拟真实NLSMs,表明外尔点生成存在临界光强阈值。
  • 通过ZrSiS作为候选材料评估实验可行性,计算在实际条件下光的穿透深度、霍尔电压与ARPES可探测性。

实验结果

研究问题

  • RQ1圆偏振光能否将节点线半金属驱动至外尔半金属相?
  • RQ2入射光如何调控所产生外尔点的位置与性质?
  • RQ3光致外尔相中的反常霍尔电导率的大小与可调性如何?
  • RQ4光致费米弧是否可理解为原始NLSM的鼓面表面态发生倾斜?
  • RQ5在具有微小本征自旋-轨道耦合能隙的NLSMs中,生成外尔点所需的临界激光强度是多少?

主要发现

  • 圆偏振光可将节点线半金属驱动至弗洛凯外尔半金属相,节点环被能隙打开并分裂为四个外尔点。
  • 外尔点高度可调:其位置可通过改变入射光的偏振与强度自由调节。
  • 产生大范围反常霍尔电导率,其在低温下对光强不敏感,但当光的手性反转时,电导率符号也发生反转。
  • 弗洛凯WSM中的费米弧源于原始NLSM鼓面表面态的倾斜,提供了几何解释。
  • 对于ZrSiS,100 nm厚薄膜在100 mA电流与120 meV圆偏振光照射下,可产生约1 mV的可测量霍尔电压。
  • 光致费米弧的费米速度可达体相费米速度的约10%,使其可通过泵浦-探测ARPES实验探测。

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本解读由 AI 生成,并经人工编辑审核。