Jeong‐Won Yoon
성균관대학교 공과대학 · 공학
정원원 교수 연구실은 전자패키징 분야에서 핵심 소재인 인터메탈릭 화합물 및 구리 싱터링 기술의 형성 거동과 거친 거동을 중심으로 연구를 진행하고 있습니다. 특히 납-free 솔더 합금과 기판 간의 상호작용, 열처리 조건이 인터메탈릭 화합물 형성에 미치는 영향을 기초적으로 분석하며 고신뢰성 전자소자 패키징 기술을 개발하고 있습니다. 또한 저비용 구리 싱터링 기반 접합 기술의 공정 최적화와 기계적 강도 향상에 초점을 맞추고 있습니다.
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
The growth kinetics of intermetallic compound layers formed between eutectic Sn–58Bi solder and (Cu, electroless Ni–P/Cu) substrate were investigated at temperature between 70 and 120°C for 1 to 60 days. The layer growth of intermetallic compound in the couple of the Sn–58Bi/Cu and Sn–58Bi/electroless Ni–P system satisfied the parabolic law at given temperature range. As a whole, because the values of time exponent (n) have approximately 0.5, the layer growth of the intermetallic compound was ma
The growth kinetics of intermetallic compound (IMC) layers formed between Sn-3Ag-6Bi-2In ball-grid-array (BGA) solder and Au/Ni/Cu substrate by solid-state isothermal aging were examined at temperatures between 343 and 443 K for 0 to 100 days. A quantitative analysis of the IMC layer thickness as a function of time and temperature was performed. The intermetallic layer exhibited a parabolic growth at the given temperature range. Because the values of the time exponent (n) are approximately 0.5,
