Jin-Goo Park
한양대학교 재료화학공학과 · 공학
Jin-Goo Park 교수의 연구실은 반도체 공정에서 핵심적인 역할을 하는 표면 및界面 현상, 특히 화학 기계적 폴리싱(CMP)과 세정 공정에서의 표면 에너지, 전기적 성질, 화학적 상호작용을 중심으로 연구를 진행하고 있습니다. 이슬과 알코올 용액의 표면장력, 점도, 전기적 특성 변화를 분석하며, 반도체 웨이퍼의 건조 및 오염 제어 메커니즘을 규명하고 있습니다. 또한, BTA, 세리아, 과산화수소 등 다양한 화학물질이 금속 및 산화물 표면에 미치는 복합막 형성 및 부식 억제 메커니즘을 분석하고 있습니다. 이는 고순도 반도체 소자의 생산성과 신뢰성을 향상시키는 데 기여합니다.
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
In this study, the interfacial and electrokinetic phenomena of mixtures of isopropyl alcohol (IPA) and deionized (DI) water in relation to semiconductor wafer drying is investigated. The dielectric constant of an IPA solution linearly decreased from 78 to 18 with the addition of IPA to DI water. The viscosity of IPA solutions increased as the volume percentage of IPA in DI water increased. The zeta potentials of silica particles and silicon wafers were also measured in IPA solutions. The zeta po
The contamination behavior of ceria particles (50 and 100 nm) with oxide surfaces at pH 4 and 8 was studied using dipping and polishing conditions. Higher contamination at pH 4 than pH 8 was observed for dipping cases. In contrast, pH 8 conditions produced higher contamination than pH 4 for polishing cases. The difference in the contamination between dipping and polishing could be attributed to electrostatic attraction and chemical bonding. During polishing, weak or no chemical bonding may occur
