Jin‐Hyo Boo
성균관대학교 화학과 · 재료과학
이 교수의 연구실은 고도로 정렬된 다결정 박막 및 에피택시얼 층을 이용한 반도체 및 열변색막의 저온 성장 기술을 핵심으로 합니다. 특히 h-BN, SiC, VO₂ 등의 희토류 및 반도체 박막을 저온에서 고순도로 성장시키는 CVD 및 스퍼터링 공정 기반의 신소재 개발에 집중하고 있으며, 실리콘 기반의 반도체 소자와의 통합을 위한 버퍼층 기술도 함께 연구하고 있습니다. 이는 고성능 전자소자 및 에너지 효율 소자 실현을 위한 핵심 기반 기술로 발전하고 있습니다.
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
Highly oriented polycrystalline h-BN thin films were deposited on silicon substrates in the temperature range of 600–900°C from the single molecular precursor of borane–triethylamine complex, (C2H5)3N : BH3, by supersonic jet assisted chemical vapor deposition. Hydrogen was used as carrier gas, and additional nitrogen was supplied by either ammonia through a nozzle or nitrogen via a remote microwave plasma. Hexagonal GaN films were also grown on Si(1 0 0) with h-BN buffer layers at temperatures
