Moo Whan Shin
연세대학교 첨단융합공학부 · 공학
신문환 교수의 연구실은 고성능 전력 반도체 소자와 에너지 변환 장치의 핵심 기술을 연구하고 있습니다. 간이드라인(GaN) 기반의 고전력 및 고온용도 소자, 특히 마이크로파용 MESFET의 성능 최적화와 열특성 분석에 중점을 두고 있으며, 동시에 리튬-공기 이차전지의 효율성 향상을 위한 촉매 및 전극 구조의 설계 최적화도 진행하고 있습니다. 특히 나노구조 촉매와 다공성 탄소 복합재료를 활용한 에너지 저장 장치의 성능 향상에 기여하고 있습니다.
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
The potential of microwave GaN MESFETs is evaluated using a harmonic-balance RF simulator for high-power and high-temperature applications. The simulated device performance (DC I/V characteristics and small-signal power gain) of a GaN FET is in good agreement with experimental data. It is demonstrated that the excellent electrical properties of GaN make it a viable alternative to SiC for microwave high-power and high-temperature applications.
This paper reports on the experimental methods of the determination of junction temperature and thermal resistance in GaN-based LEDs. For the direct temperature measurement and investigation of thermal distribution on the operating LED chip, nematic liquid crystal thermographic technique was employed. Hot spot was observed and its size was increasing with the driving input power. The initial hot spot with an anisotropic–isotropic transition of 29 °C appeared near the cathode region under the dri
