Nagoya University · 공학
이 교수의 연구실은 실리콘 기반 나노구조 소재, 특히 SiGe 양자선 및 다결정 실리콘의 성장 메커니즘을 중심으로 연구를 진행하고 있습니다. V그로브 패턴 기반 기질에서의 선택적 에pitaxial 성장 기술을 활용해 고도로 제어된 SiGe 나노와이어를 구현하고, 그 광학적 특성과 결정 결함의 기원을 규명하고자 합니다. 특히 결정립 경계에서의 비틀림 응력과 미세구조의 상관관계를 유한요소 해석과 실험을 결합해 분석함으로써, 고순도 나노소재의 비정질성과 기계적 안정성 향상에 기여하고자 합니다.
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
We report on the successful fabrication of SiGe quantum wire structures on a V-groove patterned substrate by gas-source selective epitaxial growth technique, and their optical properties. Optical anisotropy, showing the realization of luminescent SiGe layers with wire geometry, was clearly observed in electroluminescence from the SiGe layers grown inside the groove.
SiGe/Si quantum wire structures were successfully fabricated on a V-groove patterned Si substrate by using gas-source Si molecular beam epitaxy (GS-SiMBE). A cross sectional image of transmission electron microscope clarified a crescent-shaped SiGe layer at the bottom of the V-groove owing to anisotropy of the growth rate on the different crystal orientations in GS-SiMBE.
We attempted to clarify relationship between grain boundary structures in Si multicrystals and generation of dislocations during crystal growth. Systematic variation of grain boundary structures was realized by employing dendritic nucleation at the initial stage of crystal growth. Etch-pit observation revealed that the contact angle of adjacent dendrite crystals to form a grain boundary affects generation of dislocations. Experimentally observed dislocation density was found to be well correlate
