Hokkaido University · 공학
오오사무 후지타 교수의 연구실은 고체물리학과 나노전자소자 분야에서 활발한 연구를 수행하고 있습니다. 스핀-페일러 시스템에서의 스핀 갭 동역학과 중성자 산란을 통한 자기장에 의한 양자상태 분리 메커니즘을 규명하며 양자물리현상의 기초를 탐구하고 있습니다. 동시에, 신경망 통합회로용 고정밀 아날로그 메모리 소자로서의 플로ating 게이트 MOSFET의 설계 및 응용 기술을 개발하여 나노전자소자의 응용 가능성을 넓히고 있습니다.
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
The magnetic field dependence of the spin-Peierls gap in CuGe${\mathrm{O}}_{3}$ has been studied by means of neutron inelastic scattering. The splitting of the single gap state into three distinct excitation branches under a magnetic field can be regarded as direct evidence for the singlet-triplet transition in a spin-Peierls system.
A floating-gate MOSFET device that can be used as a precision analog memory for neural network LSIs is described. This device has two floating gates. One is a charge-injection gate with a Fowler-Nordheim tunnel junction, and the other is a charge-storage gate that operates as a MOSFET floating gate. The gates are connected by high resistance, and the charge-injection gate is small so that its capacitance is much less than that of the charge-storage gate. By applying control pulses to the charge-
