Kyung‐Jin Lee
KAIST Physics · 물리·천문학
Kyung-Jin Lee 교수의 연구실은 나노스케일 자기소재 및 전자소자에서의 스핀트로닉스 현상에 중점을 두고 있으며, 전류에 의한 자기장 스위칭과 스핀터크 효과를 해석하고자 합니다. 특히, 100nm 이하의 나노구조에서의 자기적 안정성과 전류 밀도에 따른 스위칭 속도 향상 메커니즘을 분석하고 있습니다. 또한 고체 전해질 메모리의 다중 수준 스위칭 메커니즘을 현미경 관찰을 통해 규명하며, 나노미터 크기의 도전성 필라멘트 형성과 그 동역학을 연구하고 있습니다.
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
We studied current-induced magnetic switching and excitations in structures comprising a free layer with in-plane magnetization traversed by a current with perpendicular-to-plane spin polarization. We derived analytical solutions from the Landau–Lifshitz–Gilbert equation including the spin-torque term, and compared them to numerical simulations within the single domain assumption. Taking into account the criterion of thermal stability, the magnetization switching in nanostructures of typical siz
Solid electrolyte memories utilizing voltage-induced resistance change display the capability of multilevel switching, but understanding of the microscopic switching mechanism has been left incomplete. Here, in situ TEM observation of voltage-induced changes in the microstructure of a solid electrolyte memory is reported, revealing that the multilevel switching originates from the growth of multiple conducting filaments with nanometer-sized diameter and spacing. Detailed facts of importance to s
