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QUICK REVIEW

[論文レビュー] LDPUF: Exploiting DRAM Latency Variations to Generate Robust Device Signatures.

B. M. S. Bahar Talukder, Biswajit Ray|arXiv (Cornell University)|Aug 7, 2018
Physical Unclonable Functions (PUFs) and Hardware Security被引用数 5
ひとこと要約

本稿では、DRAMのプリチャージ遅延のばらつきを活用して、破壊的でなく、かつ高速なデバイス署名を生成する、新しいDRAMベースのPUF、LDPUFを提案する。本手法は、従来手法と比較して少なくとも4,300倍の高速化を達成するとともに、極端な条件下でも信頼性の高い鍵再現性を維持する。

ABSTRACT

Physically Unclonable Functions (PUFs) are potential security blocks to generate unique and more secure keys in low-cost cryptographic applications. Memories have been popular candidates for PUFs because of their prevalence in the modern electronic systems. However, the existing techniques of generating device signatures from DRAM is very slow, destructive (destroy the current data), and disruptive to system operation. In this paper, we propose latency-based (precharge) PUF which exploits DRAM precharge latency to generate signatures. Our proposed methodology for key generation is fast, robust, least disruptive, and non-destructive. The silicon results from DDR3 chips show that the proposed key generation technique is at least ~4,300X faster than the existing approaches, while reliably reproducing the key in extreme operating conditions.

研究の動機と目的

  • 破壊的または破壊的な操作を必要とする、従来のDRAMベースのPUF技術の遅さと破壊的性質を解決すること。
  • 内在するDRAM遅延のばらつきを活用して、非破壊的かつ低オーバーヘッドな方法で、固有のデバイス署名を生成すること。
  • 温度や電圧の変動といった極端な動作条件下でも、鍵の再現性を確実に維持すること。
  • 低コストでリソースが制限された暗号システムへのPUFの実用的導入を可能にすること。

提案手法

  • メモリセル間におけるDRAMプリチャージ遅延の内在的ばらつきを、物理的ランダムネスの源として活用すること。
  • 既存データを変更または破壊せずに、プリチャージ遅延を測定する鍵生成プロトコルを設計すること。
  • 遅延測定値の統計的分析を用いて、安定的かつ固有のデバイス署名を抽出すること。
  • 性能と信頼性の検証のため、DDR3メモリチップ上に本手法を実装すること。
  • 標準的なメモリアクセスタイミング内での動作と、特別なハードウェアを必要としないことにより、システムへの干渉を最小限に抑えること。

実験結果

リサーチクエスチョン

  • RQ1DRAMプリチャージ遅延のばらつきを、データ破壊なしに信頼性高く固有のデバイス署名を生成するために活用できるか?
  • RQ2提案されたLDPUF手法は、従来のDRAMベースのPUF技術と比較して、どの程度高速か?
  • RQ3LDPUFは極端な動作条件下でも、どの程度鍵の再現性を維持できるか?
  • RQ4本手法は、通常のシステム動作への影響を最小限に抑えて実装可能か?

主な発見

  • LDPUFは、従来のDRAMベースのPUFアプローチと比較して、少なくとも4,300倍の高速な鍵生成を達成した。
  • 本手法は非破壊的であり、鍵生成中に既存データが保持された。
  • 極端な温度および電圧の変動下でも、鍵の再現性が信頼性を持って維持された。
  • DDR3チップにおけるシリコン評価により、提案手法の実現可能性と耐障害性が確認された。

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このレビューはAIが作成し、人間の編集者が確認しました。