Minsuk Seo

Iron loss effect is one of the significant points that must be taken into account when engineers design electric machines. Iron loss is dependent on the material characteristics such as conductivity, permeability, and hysteresis loop. To reduce the iron loss, ferromagnetic material is mixed with impurities and it is laminated to be electrical steel sheets. However, new magnetic materials with higher efficiency and higher performance are still being developed. The magnetic materials such as perma

본 논문에서는 6～18 GHz 대역 8-비트 true time delay(TTD) 회로의 설계 및 측정결과에 대하여 기술하였다. 단위 지연회로는 상대적으로 시간 지연 변화율이 일정한 m-유도 필터(m-derived filter)를 이용하였다. 설계한 8-비트 TTD는 2개의single-pole double-throw(SPDT)와 7 개의 double-pole double-throw(DPDT) 스위치로 구현하였으며, 인덕터를 이용하여 반사특성을 개선하였다. 설계된 8-비트 TTD는 0.18 μm CMOS 공정을 이용하여 제작하였다. 측정된 TTD 회로의 시간 가변 범위는 250 ps이고, 시간 지연 해상도는 약 1 ps이다. 6～18 GHz의 동작 주파수에서 RMS 시간 지연 오차는 11 ps 미만이며, 입출력 반사 손실은 10 dB 이상이다. 공급 전압은 1.8 V이며, 소비 전력은 0.0 mW이다. 칩 면적은 2.36×1.04 mm2이다.

This paper presents a wide-frequency-range, low-power transceiver with an automatic impedance-matching calibration for TV-white-space (TVWS) application. The wide-range automatic impedance matching calibration (AIMC) is proposed for the Drive Amplifier (DA) and LNA. The optimal S22 and S11 matching capacitances are selected in the DA and LNA, respectively. Also, the Single Pole Double Throw (SPDT) switch is integrated to share the antenna and matching network between the transmitter and receiver

본 연구는 중국기업에서 종업원이 인지하는 카리스마 리더십 유형이 부하직원의 행동에 미치는 영향에 대해 살펴본 논문이다. 종업원이 인지할 수 있는 카리스마 리더십유형으로는 비전제시와 부하욕구에 대한 민감한 행동, 위험감수 행동을 설정하였으며, 조직몰입은 정서적 몰입과 유지적 몰입으로 설정하여 165개의 기업을 대상으로 Amos 6.0 구조방정식 모델을 이용해 실증분석을 실시하였다. 실증분석 결과 카리스마 리더십의 비전제시와 부하욕구에 대한 민감한 행동은 정서적 몰입에 정의 영향을 미쳤으며 조직시민행동에 있어서도 상관관계가 있는 것으로 나타났다. 이는 중국기업에서의 사회적 요인 특성상 상사의 강력한 리더십은 정서적 몰입에 상당한 영향을 미치는 것을 보여주고 있으며 조직 유지에 있어 필요한 리더십중의 하나임을 보여주고 있다.

This paper presents a wide output range, high power efficiency reconfigurable charge pump for driving touch panels with the high resistances. The charge pump is composed of 4-stages and its configuration automatically changes based on the required output voltage level. In order to keep the power efficiency over the wide output voltage range, internal blocks are automatically activated or deactivated by the clock driver in the reconfigurable charge pump minimizing the switching power loss due to

본논문에서는40-nm CMOS 공정을이용한차동공통소스구조를이용한106∼133 GHz 광대역전력증폭기를제시한다. 출력을제외한각증폭단은직렬인덕터를추가한광대역트랜스포머를통해정합하였고, 출력은발룬을통해최대출력부하임피던스에정합하였다. 측정결과, 증폭기의최대이득은116 GHz에서22.3 dB, 3-dB 대역폭은 27 GHz, 출력 포화전력은 9.4 dBm이다. 소비 전력은 1.1 V 공급 전압에서 76 mW, 최대 전력 부가 효율은 9.3 %이다. 패드를제외한 칩면적은595 μm×88 μm이다.

본 논문에서는 40-nm CMOS 공정을 이용하여 D-대역 5 단 저잡음 증폭기의 설계와 측정 결과를 제시하였다. 입력을제외한 단간 정합은 트랜스포머를 통해 공액(conjugate)정합을 하였고, 입력은 발룬을 사용하여 잡음지수와 이득 특성을절충하여 정합을 하였다. 제작한 저잡음 증폭기의 측정 결과, 140 GHz에서 최대이득 21.8 dB을 보이며, 3 dB 대역폭은15.4 GHz, 140∼150 GHz에서 잡음 지수는 평균적으로 8.7 dB을 보였다. 패드를 제외한 칩의 면적은 0.08 mm2이며, 0.9 V 공급 전원에서 46 mW의 전력을 소비한다.

본 논문에서는 단일 종단-차동 변환기(single-ended to differential converter), 주파수 9-체배기, 90° 하이브리드 커플러, D-대역 증폭기로 구성된 D–대역 주파수 체배기를 제안한다. 설계된 D-대역 주파수 체배기는 40 nm CMOS 공정으로제작되었다. 주파수 3-체배기를 2단 접속하여 주파수 9-체배기를 구현하였다. 광대역 특성을 갖는 Lange 커플러를 사용하여 90° 상대 위상 차이를 갖는 I/Q 국부 발진기 신호를 생성하였다. 온-웨이퍼 측정 결과, 최대 출력 전력 3.4 dBm, 3-dB 대역폭 12 GHz(125～137 GHz), 인접 고조파 억제>30 dBc 특성을 보였다. 공급 전압 1 V에서 소비 전력은 170 mW이고포화된 출력 전력에서 1.28 %의 효율을 달성하였다. 패드를 제외한 칩 면적은 0.235 mm2이다.

This work presents a 2-stage distributed amplifier (DA) and a 2-stage cascaded single-stage distributed amplifier (CSSDA) in Samsung 65 nm CMOS technology. They are designed in cascode configuration to obtain broad bandwidth and high gain, and m-derived filter configuration is used for compact layout. The measurement results show a peak gain of 10 dB of 2-stage DA and 13 dB of 2-satge CSSDA with the 3-dB bandwidth from 5 GHz to 20 GHz. S11 and S22 are better than -10 dB over the entire bandwidth

본 논문에서는 40 nm CMOS 공정을 이용하여 140 GHz 대역의 4단 저잡음 증폭기를 설계하였다. 증폭기의 입력과출력, 상호 단 간의 매칭은 최하위 2개의 금속층과 최상위 금속 배선층으로 구성된 마이크로스트립 라인으로 이루어졌다. 외부 전원의 내부 인덕턴스 영향을 최소화하기 위해 바이패스 커패시터를 이용한 AC 접지를 형성하였다. 이상적인AC 접지의 경우에 근접한 이득 및 잡음 지수를 고려하여 커패시터의 개수를 선정하였다. D-대역 온웨이퍼 셋업을 이용한 측정 결과, 증폭기의 이득은 15.6 dB, 잡음 지수는 8.8 dB이고 18 mW의 전력을 소모한다. 패드를 포함한 회로의 전체면적은 490 μm×430 μm이다.

본 논문은 웨이퍼상의 D-대역(110∼170 GHz) 회로의 3차 상호 변조 왜곡(IMD3: 3 rd-order intermodulation distortion) 성분의 측정법에 대해 제안한다. 독립된 두 개의 D-대역 신호원을 도파관 방향성 결합기로 결합하여 2-tone을 생성하고, 주파수 하향 변환 혼합기와 감쇠기를 이용하여 셋업이 DUT(device under test)의 IMD3 측정에 미치는 영향을 최소화하였다. D-대역 시제품 전력 증폭기 칩의 기본 주파수 성분과 IMD3 성분의 전력을 측정하였으며, 셋업에서 생성된 IMD3의크기와 비교하여 신뢰성을 높였다.

Blind mismatch correction of time-interleaved analogto-digital converters (TI-ADC) is a challenging task. Wepresent a practical blind calibration technique for lowcomputation,low-complexity, and high-resolutionapplications. Its key features are: dramatically reducedcomputation; simple hardware; guaranteed parameterconvergence with an arbitrary number of TI-ADCchannels and most real-life input signals, with nobandwidth limitation; multiple Nyquist zone operation;and mixed-domain error correction.

본 논문에서는 40 nm CMOS 공정을 이용한 130 GHz 차동 공통 소스 구조 전력 증폭기를 제시한다. 출력을 제외한단 간의 정합은 경우 트랜스포머를 통해 공액(conjugate) 정합을 하였으며, 출력은 발룬을 통한 최대 출력 부하 임피던스에 정합하였다. 온웨이퍼 측정 결과, 증폭기의 최대 이득은 130 GHz에서 22.5 dB, 3-dB 대역폭은 15 GHz이며, 출력 포화전력은 7.7 dBm이다. 공급전압 1 V에서 소비전력은 81 mW이고, 포화된 출력 전력에서 7.1 %의 효율을 달성하였다. 패드를 제외한 칩 면적은 388 μm×168 μm이다.

본 논문에서는 6～18 GHz 대역 7-bit 28 dB 가변 신호 감쇠기의 설계 및 측정결과에 대하여 기술하였다. 기존의 switched- T 감쇠기에 칩 사이즈를 최소화하기 위해 인덕터를 사용하지 않았고, 보상용 병렬 커패시터를 추가하여 참조 상태(reference state)와 감쇠 상태간의 위상 변화를 최소화하였다. 설계된 감쇠기는 0.18 μm CMOS 공정을 이용하여 제작하였다. 측정된 감쇠기의 해상도와 전체 감쇠 범위는 각각 0.22 dB 및 28 dB이다. 6～18 GHz의 동작 주파수에서 RMS 감쇠오차는 0.26 dB 이하, 위상 오차는 3.2° 이하로 측정되었으며, 참조상태 손실은 12.4 dB 이하이다. 전체 주파수 범위와감쇠상태에서 입출력 반사손실은 9.4 dB 이상이다. 패드를 포함하지 않은 칩 면적은 0.11 mm2이다.

본 논문에서는 지표투과레이다용 2 GHz 대역 고효율 펄스발생기의 설계 및 측정결과에 대하여 기술하였다. 기존의분산증폭기 기반 펄스 발생기의 입출력 정합특성을 개선하기 위해 90° 하이브리드 커플러를 이용한 평형 구조를 응용해설계하였다. 설계된 펄스발생기는 PCB 공정을 이용하여 제작하였다. 펄스 발생기는 5 V 전원 공급 장치에서 약 1 mA 전류를 소모하며, 27.6 %의 전력 효율을 가진다. 출력 전압 진폭은 100 MHz의 PRF(Pulse Repetition Frequency: 펄스 반복주파수)에서 3.7 Vpp이다. 펄스의 폭은 약 2 ns이며 1.7～2.6 GHz의 동작 주파수에서 입출력 반사손실은 10 dB 이상이다.