Tae Hyung Kim
Yonsei University · 工学
研究室紹介
Professor Tae Hyung Kim's research lab specializes in advanced oxide semiconductor devices and flexible/biocompatible electronics, focusing on high-performance thin-film transistors (TFTs) for next-generation displays and implantable bioelectronics. The lab develops novel materials and fabrication techniques—such as selenium capping layers, oxygen scavenger layers, and carrier-induced interlayers—to enhance the stability, responsivity, and low-temperature processability of amorphous IGZO and ITO-based TFTs. A key research direction involves creating biodegradable and biocompatible neuromorphic devices using hyaluronic acid for safe, implantable neural interfaces. The lab also pioneers innovative printing and patterning methods, including EHD jet printing, for low-cost, flexible, and high-precision optoelectronic and display applications.
Research Overview
Research Output Trend
Figures are computed from collected data and may differ slightly.
Selected Papers
15Visible light can be detected using an indium–gallium–zinc oxide (IGZO)-based phototransistor, with a selenium capping layer (SCL) that functions as a visible light absorption layer. Selenium (Se) exhibits photoconductive properties as its conductivity increases with illumination. We report an IGZO phototransistor with an SCL (SCL/IGZO phototransistor) that demonstrated optimal photoresponse characteristics when the SCL was 150 nm thick. The SCL/IGZO phototransistor exhibited a photoresponsivity
Abstract Neurodegenerative disorders are challenging issues for initial diagnosis and cure. False signals from neurons that make up the brain must be corrected. To treat neurodegenerative diseases, neuromorphic devices are inserted into the body and connected to nerves. However, there are major concerns regarding implanting these devices into living bodies, that is, toxicity caused by the materials and the need for an additional operation to remove the device after treatment. In this research, a
In this study, the oxygen scavenger layer (OSL) is proposed as a back channel in the bilayer channel to enhance both the electrical characteristics and stability of an amorphous indium–gallium–zinc oxide thin-film transistor (a-IGZO TFT) and also to enable its fabrication at low temperature. The OSL is a hafnium (Hf)-doped a-IGZO channel layer deposited by radio-frequency magnetron cosputtering. Amorphous IGZO TFTs with the OSL, even if annealed at a low temperature (200 °C), exhibited improved
This paper proposes a novel pixel circuit and driving scheme that adopts low-temperature polycrystalline silicon and oxide thin-film transistors (LTPO TFTs) for mobile devices using active-matrix organic light-emitting diode (AMOLED) displays. The proposed pixel circuit and driving scheme provide uniform luminance and render flicker invisible at variable refresh rates (VRRs) from 1 to 120 Hz. Using the proposed pixel circuit with extended compensation time (tCOMP) improves the luminance uniformi
We investigated a facile fabrication method, which is an insertion of a carrier-induced interlayer (CII) between the oxygen-rich a-IGZO channel and the gate insulator to improve the electrical characteristics and stability of amorphous indium–gallium–zinc–oxide thin-film transistors (a-IGZO TFTs). The a-IGZO channel is deposited with additional oxygen gas flow during a-IGZO channel deposition to improve the stability of the a-IGZO TFTs. The CII is a less than 10 nm thick deposited thin film that
A simple fabrication method for homojunction-structured Al-doped indium–tin oxide (ITO) thin-film transistors (TFTs) using an electrohydrodynamic (EHD) jet-printed Al2O3 passivation layer with specific line (WAl2O3) is proposed. After EHD jet printing, the specific region of the ITO film below the Al2O3 passivation layer changes from a conducting electrode to a semiconducting channel layer simultaneously upon the formation of the passivation layer during thermal annealing. The channel length of
개인의 건강은 자신의 인구학적, 사회경제적 요인뿐만 아니라 그 개인이 속한 지역적 요인에 의해 영향을 받는다. 따라서 각 개인 간에 발생하는 건강수준의 차이가 어떠한 요인에 의해 발생하는지 다차원적으로 분석하여 건강불평등을 완화하고 건강에 대한 기본적인 권리를 누릴 수 있도록 하는 것이 필요하다. 이에 본 연구는 서울시민의 주관적 건강수준에 영향을 미치는 개인, 지역 요인을 찾고 상호작용 효과를 검증하기 위해 2010 서울시 복지패널 자료의 성인 5,934명을 활용하여 다층분석을 실시하였다. 분석 결과 첫째, 소득이 있는 직업을 가진 경우, 현재 결혼 상태인 경우, 연령이 낮을수록, 소득과 학력이 높을수록 주관적 건강수준이 높게 나타났다. 둘째, 자신이 거주하는 지역의 소득불평등 수준이 높을수록 주관적 건강수준이 낮게 나타났다. 셋째, 개인 요인인 학력과 혼인상태가 지역 요인인 소득불평등과 유의한 상호작용 효과를 나타내어, 지역의 소득불평등이 심할수록 학력과 혼인상태가 주관적 건강에
Abstract Amorphous indium–gallium–zinc oxide (IGZO)‐based optical synaptic transistor using visible light as the signal that shows a clear difference between long‐term memory (LTM) and short‐term memory (STM) is introduced in this study. However, since oxide semiconductors, including IGZO, do not sense visible light due to their high band gap energy of around 3.0 eV, defects are generated intentionally within IGZO channel layer to enable sensitivity to the visible light by inserting two layers o
We considered the issue of color mixing from the viewpoint of gray scale images and investigated the effect of the mixed light. The goal of this study was to improve the quality of the grey scale images by using mixed RGB illumination. The mixing mechanism and image quality were formulized and applied to a machine vision system with an RGB mixer. The RGB mixer was made of RGB LEDs, a power AMP, a mixing chamber, and a bundle of optical fibers. The intensity of the RGB light was adjusted by varyi
Abstract A facile method is presented involving a reducing agent, sodium dithionite (Na 2 S 2 O 4 ), to control the photoresponse characteristics of oxide semiconductors that detect visible‐light. The method exhibits extraordinary potential for fabricating a diverse range of optoelectronic devices. Due to its weak S–S bond, Na 2 S 2 O 4 generates excessive subgap states and oxygen vacancies in hafnium–indium–gallium–zinc oxide (HIGZO) thin‐film during the reduction treatment (RDT). It is achieva
The capacity of battery energy storage systems (BESS) is expected to increase for power system applications. However, as the cost of BESS is high, economic feasibility must be considered when using BESS in grid applications. Load leveling with BESS is one such application for which the economic implications have been analyzed in the literature. However, these studies do not sufficiently consider the fact that the leveled loads will lead to a change in electricity prices, thereby modifying chargi
본 연구의 목적은 서울시 25개의 자치구를 대상으로 서울시민의 문화환경 만족도와 문화향수 수준을 중심으로 서울시민의 문화향유 유형과 두 지표의 수준과 격차에 대해 분석함으로써 서울시 문화정책에 대한 정책적 함의를 도출하는 것이다. 지방자치단체는 지역주민의 여가 활동과 문화향유에 따른 삶의 질 향상, 그리고행복감 증진을 위해 맞춤형 정책을 개발하고 추진해 나가야 한다. 이를 위해서는 지역주민의 문화환경 만족도와 문화향수 수준에 대한 조사를 통해 자치구별로 당면한 현황과 문화향유 유형을 파악할 필요성이 제기된다. 따라서 본 연구에서는 문화향유 유형을 문화향유형, 문화안주형, 문화도약형, 문화빈곤형 등 네 가지로 제시하고, 이를 중심으로 서울시의 25개 자치구가 어느 유형에 해당하는지를 살펴보고자 한다. 또한 2008년과 2012 년을 대상으로 하여 시간의 흐름에 따른 자치구별 변화를 파악하고자 한다. 분석 결과를 살펴보면, 2008년에 비해 2012년 서울시의 문화향수 수준은 하락하였으
정부가 제공하는 공공서비스가 국민의 삶과 직결되어 있고, 여러 국제기구들이 발표하고 있는 삶의 질을 측정하는 지표 중에는 정부의 정책 효과를 보여주는 것이 대부분이기 때문에 정부의 질과 삶의 질은 함께 논의되어야 할 현대 사회의 주요 논제이다. 본 연구에서는 국민 삶의 질의 영향요인을 탐색하기 위해 2000년부터 2014년까지 187개 국가를 대상으로 패널분석을 실시한 결과, 정부의 효과성과 정부의 규모, 그리고 생태계 건전성이 국민의 객관적 삶의 질 향상에 긍정적인 영향을 미치는 것으로 나타났다. 주관적 삶의 질을 향상시키는 요인으로는 정부의 효과성, 법의 지배, 인구수, 1인당 GDP로 나타났고, 정부의 규모가 확대될수록 국민의 주관적 삶의 질이 저하되는 것으로 나타났다. 따라서 정부는 대국민 서비스 제공이나 정책업무 처리의 효과성을 향상시키고, 정부의 지출이 국민의 삶의 질 향상과 연계되는 방안을 모색해야 한다. 뿐만 아니라 미래 사회를 대비하여 자연환경의 보존과 지속가능성을