정홍식 교수
Hong-sik Jung
UNIST 신소재공학과 · 공학
연구실 소개
정홍식 교수의 연구실은 3D NAND 플래시 메모리의 신뢰성과 성능을 향상시키기 위한 고도화된 소자 구조와 신소재 응용에 초점을 맞추고 있습니다. 특히 인듐갈륨锌산화물(IGZO)과 페로일렉트릭 재료를 활용한 소자 설계를 통해 에르제이션 문제와 임계전압 이격 현상을 효과적으로 해결하고자 합니다. 또한, 니켈 기반 전극과 산화물 반도체를 접목한 프로세스 안정화 기술을 개발하여 메모리 소자의 내구성과 신뢰성을 제고하고 있습니다.
연구 현황
연구 성과 추이
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
주요 논문
2In this paper, we propose an optimized device structure to address issues in 3D NAND flash memory devices, which encounter difficulties when using the hole erase method due to the unfavorable hole characteristics of indium gallium zinc oxide (IGZO). The proposed structure mitigated the erase operation problem caused by the low hole mobility of IGZO by introducing a filler inside the IGZO channel. It facilitated the injection of holes into the IGZO channel through the filler, while the existing P
In this paper, we propose an optimized device structure with a highly stable process that addresses threshold voltage shift issues in the String-Select-Line (SSL) and Ground-Select-Line (GSL) gates using ferroelectric memory in 3D NAND flash memory applications. The proposed device utilizes nickel (Ni) instead of tungsten (W) for the GSL and SSL gates, enabling optimized polarization properties during the annealing process and leveraging the disparity in thermal expansion coefficients. Notably,
대표 연구 분야
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